يمكن أن تخزن الذاكرة الفلاشية الجزيئية الجذرية كميات هائلة من البيانات

يمكن أن تساعد جزيئات الرواية ذاكرة الفلاش في التحرك إلى ما بعد حدود التخزين ، مما يسمح بتسجيل كميات هائلة من البيانات في المساحات الصغيرة ، وفقًا لعلماء أوروبيين.

مجموعات أكسيد معدني يمكنها الاحتفاظ بشحنة كهربائية والعمل كجهاز RAM كتب الباحثون من كلية الكيمياء والهندسة في جامعة غلاسكو وجامعة روفيرا آي فيرجيلي في إسبانيا في رسالة نشرت في مجلة "نيتشر":

مجموعة من 13 باحثًا قالوا إن ذلك قد يشكل أساسًا جديدًا لخلايا البيانات المستخدمة في الذاكرة المؤقتة. يمكن لجزيئات polyoxometalate (POM) العمل بمثابة عقد تخزين للذاكرة فلاش MOS. استخدموا التنغستن لتجميع مجموعات أكسيد الحديد POM وإضافة السيلينيوم إلى قلبهم الداخلي ، في عملية تعرف باسم doping ، لإنشاء نوع جديد من الذاكرة يسمونه "write-once-erase."

[اقرأ المزيد: أفضل صناديق NAS لتدفق الوسائط والنسخ الاحتياطي

جامعة غلاسكو

يتناول البحث حدود حجم خلايا البيانات في الذاكرة المحمولة ، والتي تستخدم على نطاق واسع في الأجهزة المحمولة مثل الهواتف الذكية وعصا الذاكرة والكاميرات. إن فكرة استخدام جزيئات فردية لتحل محل مكونات الذاكرة التقليدية ليست جديدة ، ولكن الأبحاث السابقة عانت من مشاكل مثل الاستقرار الحراري المنخفض وانخفاض التوصيل الكهربائي. وقد جعل هذا من الصعب تطبيق النماذج الجزيئية على تقنيات MOS.

كتب الباحثون أن محاكاة واقعية للأجهزة الصناعية تحقق من مقاربتها على مقياس النانومتر ، مشيرة إلى الأجسام ذات الأبعاد المقاسة بالعدادات النانوية. وأضافوا أن POMs لديها القدرة على استخدامها كذاكرة فلاش واقعية بحجم nanoscale

"إحدى المزايا الرئيسية لمفاترات POM التي أنشأناها هي أنه من الممكن تصنيعها بأجهزة تستخدم بالفعل على نطاق واسع في الصناعة ، لذا فهم وقال لي كرونين ، وهو كيميائي مشارك في البحث ، في إصدار جامعة غلاسكو: "يمكن تبني أشكال جديدة من ذاكرة الفلاش دون الحاجة إلى إصلاح خطوط الإنتاج بشكل كبير".